白剛玉高精密研磨粉Alpha Alumina Ultra Fine Powder 半導體晶圓與光學元件奈米級平坦化專用
在全球半導體製程邁向3奈米以下節點與光子學技術快速發展的時代，材料表面的微粗糙度已成為決定元件性能與良率的關鍵瓶頸。白剛玉高精密研磨粉（Alpha Alumina Ultra Fine Powder），化學名稱為α型氧化鋁（α-Al₂O₃），是一種經過超純化處理與氣流分級的高硬度功能性粉體。不同於一般的工業磨料，該產品專為化學機械平坦化（CMP）、單晶矽拋光及硬脆光學材料鏡面處理而設計，憑藉其僅次於鑽石的莫氏硬度與鋒利的晶體棱角，能夠在奈米尺度上實現原子級的表面平整，是高端製造業不可或缺的核心耗材。
產品技術參數
加工定製： 支援客製化（粒徑D50控制在50nm-500nm、zeta電位調控、超純化清洗至ppb級）
種類： 白剛玉高精密研磨粉（α相氧化鋁超細微粉）
品名： 超高純度α-Al₂O₃ 半導體級拋光粉
含量≥： Al₂O₃ ≥ 99.99%（經過ICP-MS檢測，Na、K、Fe、Ca等金屬離子總含量低於10ppm）
粒度： #1000～#12000（對應粒徑約15μm～0.5μm，支援奈米級D50=100nm定製）
包裝規格： 1kg/真空鋁箔袋（雙層防靜電）、25kg/全密閉不鏽鋼容器或紙桶
形狀： 六方晶系，原生粒子經球磨整形後呈類球狀或多面體狀，表面光滑且切削刃口銳利
提供加工定製： 支援非標定製，包括粒度分布D10/D50/D90控制、拋光液固含量、pH值緩衝系統及分散劑復配
型號： WAP-Ultra-Fine-Series
適用範圍： 單晶矽（Si）晶圓CMP、化合物半導體（GaAs、SiC、GaN）拋光、光學透鏡模具、精密陶瓷軸承
產品別名： 白剛玉微粉、WA超細粉、氧化鋁CMP slurry、高純度鋁氧粉、奈米氧化鋁
規格： 符合SEMI國際半導體標準及GB/T 2480，可依客戶Material Specification調整
用途： 硬脆材料的高精度平面研磨、化學機械平坦化（CMP）、鏡面拋光、表面粗糙度Ra值微調
產品核心優勢
白剛玉高精密研磨粉的核心優勢在於其「極高的化學純度與粒徑的精確可控性」。在半導體製程中，即使微量的鹼金屬離子（如Na⁺、K⁺）也可能導致晶圓電性污染，該產品通過多道酸鹼萃取與超純水清洗，將雜質含量降至ppb級，確保了製程的潔淨度。在物理性能方面，該粉體透過獨特的氣流粉碎與分級技術，實現了粒徑分布的超窄集中（Span值小），這使得其在CMP過程中能夠提供穩定且可預測的材料去除率（MRR），同時避免過大顆粒造成的深劃傷（Scratch），顯著降低了晶圓表面的缺陷密度（Defect Density）。
此外，該產品具有優異的分散穩定性。透過表面改性技術，粉體粒子在去離子水或特定pH值的拋光液中能夠保持良好的懸浮狀態，不易發生團聚或沉降，確保了大尺寸晶圓在拋光過程中不同區域的平坦化一致性。其高硬度特性也意味著在拋光過程中自身磨耗極低，不會在工件表面留下殘留的研磨顆粒，減少了後續清洗的負擔。
應用場景與使用價值
在300mm單晶矽晶圓的製造中，白剛玉高精密研磨粉是ILD（層間介質）平坦化與鎢栓塞（W-Plug）CMP製程的標配材料。隨著積體電路線寬不斷縮小，光刻製程對晶圓表面的局部平坦度（Local Planarity）要求已達奈米級，該產品能夠在保證高移除速率（RR > 300nm/min）的同時，實現極低的表面粗糙度（Ra < 0.1nm），確保後續光刻製程的焦深（DOF）符合要求，直接影響著晶片的良率與效能。
在第三代半導體材料如碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）的減薄與拋光中，由於其硬度極高（莫氏硬度9.2-9.5），傳統拋光材料效率低下甚至無法加工，而高硬度的白剛玉微粉則能提供足夠的切削力，大幅縮短了加工週期，降低了製造成本。對於光學玻璃與藍寶石（Sapphire）窗口的製造，使用此研磨粉進行拋光，能夠在去除表面微細裂紋的同時，實現光學級的透光率與表面光潔度，滿足高端光學儀器與光電顯示的嚴苛要求。
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